1. BC 847B E6433
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厂商型号

BC 847B E6433 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

内部编号

173-BC-847B-E6433

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:30000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:30000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:3939
1+¥0.9573
10+¥0.9231
100+¥0.3282
1000+¥0.2188
2500+¥0.1641
10000+¥0.1436
25000+¥0.1299
50000+¥0.1162
100000+¥0.0957
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BC 847B E6433产品详细规格

规格书 BC 847B E6433 datasheet 规格书
BC846 , BC850
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 330mW
频率转换 250MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
标准包装 10,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 330mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
其他名称 BC 847B E6433CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 10000
集电极 - 发射极饱和电压 200 mV
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 330 mW
系列 BC 847B
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 250 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BC847BE6433HTMA1 SP000010576
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
直流电流增益hFE最大值 450
长度 2.9 mm
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 330 mW
直流集电极/增益hfe最小值 200

BC 847B E6433系列产品

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